KAYAKU - 光刻膠


美國 KAYAKU


SU - 8 2000 系列光刻膠

SU-8 2000 系列 - 永久性高深寬比負型光刻膠 


- 負性永久光刻膠

- 單層塗膠厚度為 0.5~200μm

- 高深寬比 (>10:1)

- 降低了極性溶劑含量減小表面張力

- 多用於 MEMS,RDL,包覆層等應用

- 高耐熱性 (<250°C)

- 高耐化性 (硬烤後)



          




            




SU - 8 3000系列光刻膠


SU-8 3000 系列 - 永久性高深寬比附著增強負型光刻膠


-  相較於 SU-8 2000 系列對於玻璃等基底有更好的基底粘附力
-  單層塗膠厚度為 5~100μm
-  深寬比 (>5:1)
-  常用於光電器件,MEMS,microLED


相關溶液:

稀釋劑:SU-8 Thinner 

顯影液:SU-8 Developer  

去膠劑:Remover PG 

增附劑:OmniCoat


        




SU-8 TF 6000光刻膠


SU-8 TF 6000 光刻膠 - 高分辨率的薄光刻膠


材質屬性:

• 光成像薄膜 (0.5 - 10µm) 的高分辨率圖形能力

• 寬感光帶 (I,G 和 H 線) 

• 低溫固化 (< 150°C),光熱或熱固化

• 改進的塗層質量

• 良好的附著力剛性和柔性基底




SU-8 Profile Modifier 輪廓修改劑


SU-8 Profile Modifier 輪廓修改劑

需要在負性的 SU-8 實現正膠輪廓 - 新產品光刻膠輪廓修改劑帶來了新的契機


輪廓修改劑直接旋塗在 Pre-baked 的 SU-8 光刻膠頂部,降低光刻膠膜頂部的光靈敏度,取得正型的側壁。不同的光刻膠厚度,烘烤溫度和顯影時間可產生不同輪廓。


正錐形輪廓:

• 在 Micro-Molding 應用中,實現模具去除步驟

• 需要在結構的頂部和側壁上的後續金屬沉積步驟



KMPR 1000 系列 - 暫時/永久性高深寬比負型光刻膠

 

KMPR 用作 DRIE 蝕刻掩模實現高寬比的圖案。它還被廣泛用作 MEMS 與生物器件的電鍍模具。因 KMPR 減少了 Cross-link 密度,在 Hard baked 前,KMPR 比較 SU-8 容易剝離。

KMPR 負性光刻膠可在任何 (PGMEA),或 (TMAH) 的顯影劑中得到顯影。


  • 高寬比成像 (>5:1) 和垂直側壁
  • 單一旋塗可達 100 微米
  • 兼容標准水性顯影劑 (TMAH)
  • 優異的金屬粘附性     
  • 優異的電鍍鍍液穩定性                                                                                                                                                                                                                

    
 




PriElex® Jettable Polymeric Materials

可噴墨式低應力聚合介電材料


PriElex® 可用於制造電子器具的噴墨打印功能油墨。PriElex® 聚合油墨的設計和用於噴射的優化,並適合無掩模光刻,快速原型和清潔,非接觸印刷。材料專為臨界噴墨性能設計,例如粘度,蒸發速率和表面張力,表現出改進的延遲,燒制穩定性,並用標准分辨率抗蝕劑配方。

Kayaku Advanced Materials 目前提供 XP PriElex® SU-8 1.0,一個 inkjettable SU-8 油墨,加入到可用於單個或多層結構的制造可打印材料的開發人員的工具箱。

XP PriElex® 發展是圍繞 FUJIFILM Dimatix 的 DMP 打印機執行。




PriElex® SU-8 材料屬性:  


• 低溫固化 (< 150°C)

• 光學透明 

• 優良的熱穩定性 

• 高耐化學性 

• 低楊氏模量 

• 減少材料浪費



PriElex® SU -8 材料用途:


• 永久的三維結構不采用光刻

• 塗層在地形和不規則的襯底









PMMA & Copolymer (MMA (8.5) MAA) - E-Beam 光刻膠


PMMA (Polymethacrylate) 是一種非常適合許多成像和非成像微電子應用程序的聚合物材料。用於電子束工藝曝光,如 T-gate 制造,臨時晶片接合工藝如晶圓減薄,用作保護層和臨時粘合劑。

PMMA 光刻膠是 PMMA 聚合物溶解在特定的溶劑中形成特定分子量的材料,如苯甲醚 (安全溶劑) 然後過濾。使用傳統曝光,直寫式曝光或 X-射線曝光使聚合物斷鏈,從而在光刻膠的曝光和未曝光區域間產生溶解度差異,實現非常高分辨率的圖形。


• 非常適合於電子束光刻和 X 射線曝光

• 高分辨率:< 0.1μm 

• 廣範圍分子量和粘度選擇 

• 顯影劑:MIBK:IPA 

• 溶劑:苯甲醚 (A) 和氯苯 (C)

• 應用包括電子束光刻,多層 T-Gate 剝離,晶圓減薄等。


Copolymer 光刻膠是 MMA 和 8.5% 甲基丙烯酸的混合物。Copolymer (8.5) MAA 並 PMMA 光刻膠堆疊,是常用在雙層剝離工藝實現獨立 CD 控制。被配置在乳酸乙酯的標准 Copolymer 光刻膠,可提供寬範圍的粘度 (薄膜厚度)。所有 PMMA 和 Copolymer 光刻膠的包裝:從 500 毫升到 20 升。



PMGI 與 LOR-雙層 Lift-off 光刻膠


• 高分辨率 (< 0.25微米) Lift-off 工藝

• 適用厚 (> 3μm) 的金屬沉積

• 對 Si,GaAs,GaN 等常見基底有良好的粘附力

• 高耐熱性 (<300°C) 

• 易於剝離,即使通過高熱制程也不影響剝離性

• 常應用於三五族金屬制程,microLED 等應用


LOR C 系列TV FiL - 孔洞暫時填補光刻膠    NEW!!


• 可完整填補高深寬比 (> 1:5) 之孔洞/溝渠且無氣泡問題

• 可藉由高熱 reflow 來達到表面平坦效果

• 對 Si,GaAs,GaN 等常見基底有良好的粘附力

• 高耐熱性 (<300°C)

• 易於剝離,即使通過高熱制程也不影響剝離性



PermiNex™ - 晶圓鍵合粘合劑 NEW!!


PermiNex™ 1000 - Solvent base

PermiNex™ 2000 - Aqueous base


PermiNex ™ 1000 和 2000 系列光刻膠是一種可用 UV 光圖形化之永久性黏合材料,可用於制作腔體結構。例如需要精密對准與低溫制程的 BAW/SAW/CIS 之封裝與微流道應用



材料特性:


• 非氣密型永久晶圓黏著劑   

• 負型光刻膠

• 低金屬腐蝕               

• 可用水性或溶劑型顯影劑顯影

• 深寬比達 3:1             

• 低溫制程 (< 200°C)

• 高品質,無孔洞的粘著   

• 與玻璃,Si 都有絕佳的附著力

• 可與後續制程良好搭配 (切割,焊接等) 和高可靠性 (HAST, TST)




KMRD - 015A - 低溫固化 PA 材料用於晶圓級封裝的線路重布層  NEW!!


材料特性:

 

• 水性顯影劑,負型聚合物光刻膠

• 低溫單階固化:1小時@ 185℃

• 制程中的低收縮與低薄膜損失特性

• 良好的化學與熱穩定性

• 出色的可加工性與曝光寬容度

• 低模數和高強度

• 線路重布層具有良好的電性質和機械性質

• 可低溫固化

• 優異的 HAST 和 TCT 表現



KMSFTM 1000 - 低应力介电光阻  NEW!!


材料特性: 

• 負型永久型光阻

• 低溫固化 (< 175°C)

• 深寬比 1:1

• 極低內聚力避免基材翹曲問題

• 高耐化性

• 高附著性

• 低吸濕性 (23˚C/50%RH for 24 hr, 0.1%)




KAYAKU - 光刻膠

  • 品 牌 Kayaku
  • 型 號 KAYAKU - SU-8 2000 series Photoresists
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