PVA TePla America - 等離子清洗機

美國 PVA TePla


等離子清洗/鍍膜系統

 

等離子體清洗是在分子水平上用於精確清潔基材的乾燥,無溶劑技術。精密清洗是用於工業用的應用範圍從微電子半導體晶片清洗醫療器械的生物負擔去污廣譜的要求。實現和製造獨特方法期間保持表面清潔度在分子水平。

優點:
• 方便快捷
• 沒有污染物
• 不需要濕化學品
 

 

應用範圍:
• 微電子半導體
• 晶片清洗
• 醫療器械的生物去污

 


INLINE 高產量 PECVD 系統 (Inline High Capacity PECVD Systems)


ILHC 是一個連續的高速真空等離子系統。它提供了等離子體輔助化學氣相沉積 (PECVD),蝕刻,清洗和活化在高生產環境全過程控制。

ILHC 是為了滿足廣大客戶的高產能量的要求。它提供了快速的工藝處理時間,卓越的均勻性和精確的厚度控制。它提供先進的過程控制,故障安全報警和完整的數據採集和報告軟件系統。

LHC 使用射頻 (RF) 產生的等離子體,結合獨特的傳送系統中清楚地闡明和完全集成封裝。該設計便於安裝和維護。

特性:

• 連續流處理

• 定制托盤和基板夾具

• 可配置的等離子源設計從小到大可擴展

• 三維零件或超高容量小零件加工

• 根據工藝要求,靈活地用 RF 功率發生器和 AMU

• GUI 圖形用戶界面軟件符合 CFR 第 21 部分 11 和 Semi E95-1101

• 自家開發的用戶訪問控制系統

• 可准確地控制 Lot-to-Lot 的重復性

• 通過以太網遠程統計過程控制監控

• 具即時診斷功能和警報記錄

• 配方編輯器提供了快速和靈活的步控制功能

• 大 LCD 觸摸設置,Windows® 的控制面板和鍵盤

• 免人手操作

可進行多種類界面

輸出功率高達:每月 500,000 devices(基本尺寸:1” x 1” Devices)

根據界面的形狀:非均勻性降低至 5%

 

RF 射頻等離子清洗/鍍膜系統

IoN 3B 

特性:

腔室尺寸 (W x D x H):140mm x 200mm x 110mm

功率:100 Watts

氣體噴淋:Integrated door

單個氣體管路:Mass Flow Controller for gas control, 50 sccm

可視窗口:45mm dia.

顯示屏:7" touch screen, PC Interface

編程控制:Upto 10 receipies with 10 steps can

壓力測量:Pirani Gauge

 

IoN 7B 

特性:

腔室尺寸 (W x D x H):200mm x 220mm x 160mm

功率:200 Watts

氣體噴淋:Integrated door

單個氣體管路:Mass Flow Controller for gas control, 100 sccm

可視窗口:45mm dia.

顯示屏:7" touch screen, PC Interface

編程控制:Upto 10 receipies with 10 steps can

壓力測量:Pirani Gauge

 



等離子清洗系統


獨有的微波等離子 (化學) 清洗方式

有別于傳統的射頻等離子 (物理) 清洗方式,微波等離子清洗可以清洗到樣品的每一個部位,實現清洗過程的自由基不會被障礙物所阻擋,並且不會改變表面的粗糙度。隨著封裝技術的進步,在倒裝和疊晶片等封裝中,射頻等離子清洗並不能達到工藝要求,微波等離子清洗的特點和優勢使得更多用戶的選擇和使用 PVA TePla。

等離子清洗在倒裝晶片封裝技術的已成為必須的過程, 提高產量。先進的倒裝晶片設備在業界獲得顯著性,在穿透分鐘的差距的模具下,微波等離子體過程是無與倫比的。根據不同模具的體積,所有表面均可被完全啟動和控調。PVA TePla 的微波等離子體一向可執行,無空隙的倒裝晶片底部填充膠,最佳的附著力和顯著增強的吸濕排汗速度。適合程度的應用遠遠超出了晶片尺寸 20x20mm 和 50μm 以下的 bumps。

 

 

 

PVA TePla 等離子清洗系統在半導體的應用:


Ø 射頻等離子在 IC 封裝的應用

 

Ø 微波等離子在倒裝晶片 (Flip chip) 工藝的應用


 

80 Plus HS 微波等離子系統

80 Plus HS 微波等離子系統

是 PVA TePla 在微晶片封裝方面提供的半導體業改革。

80 Plus High Speed (HS) 正在申請專利,對比與其他框架和基板片式處理等離子系統,該設備是世界上唯一一個單腔體支持片尺寸轉換,運輸和處理並提升了 3 倍 UPH 的設備。該系統針對大批量的晶片製造商在引線鍵合前、塑封前、倒裝片底部填充前等應用中提升收率和可靠性。

 

產量方面的業界新標準:

  • 高效率

  • 支持 100x300mm 框架

  • 最高 UPH 達到 900 strips/Hr

* 即將推出新型的 Inline 等離子清洗系統,更高的 UPH,更高的性價比。敬請期待!

 

PVA TePla 其他等離子清洗系統產品:

IoN Optimus 100 射頻等離子系統

GIGA 690 微波等離子系統

80 Plus 微波等離子系統

 

除半導體外的其他應用:

生命科學 (LIFE SCIENCE)

氣體等離子體 (Gas Plasma) 技術常用在精密清洗和啟動,去汙的表面,促進功能的生物分子的粘附和結合特定的化學蒸氣滅菌的生物體內和體外的醫療設備

 

電子 (ELECTRONICS)

等離子用於在電子工業中各種各樣的應用程式,包括從密封劑和粘合劑的粘合促進,提高釋放光碟母版壓模上的物質。

 

工業等離子體應用 (INDUSTRIAL PLASMA APPLICATIONS)

PVA TePla 是微波等離子體處理用於製造微晶片、MEMS 器件、光伏電池、平板顯示器和探測器,和大多數工業應用的市場領導者

• 增進附著力 (ADHESION PROMOTION)
• 重要的清潔 (CRITICAL CLEANING)

 

IoN 100 等離子體系統

IoN 100 是專為滿足廣大客戶不斷變化的需求而設計,它強調多功能性和控制他們的表面處理需求。其功能提供最先進的程序控制狀態,故障安全系統報警和資料獲取軟體。這使系統在生命科學產業,以滿足嚴格的品質控制程式。

 

氣體等離子體系統 - 等離子體筆

Atmospheric Plasma System - Plasma Pen

  • 生命科學與醫療器械產品

  • 汽車、航太、航海方面

  • 晶片級器件

  • 電子產品包裝

  • 平板顯示器

  • 電線、電纜、光纖

  • 玻璃製造



GIGAfab A200/300 陣列微波等離子系統


概述:

• 服務於半導體器件、晶圓制造並可與工廠 MES 系統通訊;

• 該系統是裝備獨特的陣列微波等離子體高功率電源,均勻性;

• 模塊化平台可供 200 (8寸) 或300 (12寸) 晶圓使用;

• 晶圓片存儲可采用 cassette 和 foup 且使用機械標准接口 SMIF 

• 主要氣體為氧。在真空腔室中受高頻及微波能量作用,電離產生氧離子、游離態氧原子、氧分子和電子等混合的等離子體,其中具有強氧化能力的游離態氧原子在高頻電壓作用下與光刻膠膜反應生成 CO2 和 H2O,生成的 CO2 和 H2O 隨即被抽走。


技術參數:

• 工藝腔體為鋁

• 3 軸機械手臂

• 最大晶圓尺寸 300mm

• 最大功率 2000w

• 等離子體產生陣列微波源 (2.45 GHz)

• 終端檢測,光電發射,等離子體驗證

• 系統控制基於 PC 控制器,17 寸彩色觸屏屏幕,圖形用戶界面

• 操作系統 QNX 實時平台,程序功能手動或自動操作

• 用戶密碼,多種 recipe 設置

• 過程跟蹤實時監控,屏幕顯示圖表,數據記錄,工藝數據導出,接口以太網,USB, RS232 接口

• 晶圓產量:35-80片/小時,視工藝而定。

• Etch 刻蝕溫度範圍:100-280℃

PVA TePla America - 等離子清洗機

  • 品 牌 PVA TePla
  • 型 號 PVA TePla America - Plasma Cleaners
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