概述：
• 服務於半導體器件、晶圓製造並可與工廠MES系統通訊；
• 系統裝備獨特的陣列微波等離子體高功率電源，均勻性；
• 模塊化平臺可供 200mm(8”)或300mm(12”)晶圓使用；
• 晶圓片存儲可採用cassette和foup，且使用機械標準接口SMIF 
• 主要氣體爲氧。在真空腔室中受高頻及微波能量作用，電離產生氧離子、遊離態氧原子、氧分子和電子等混合的等離子體，其中具有強氧化能力的遊離態氧原子在高頻電壓作用下與光刻膠膜反應生成CO2和H2O，生成的CO2和H2O隨即被抽走。

技術參數：
• 工藝腔體爲鋁
• 3軸機械手臂
• 最大晶圓尺寸300mm
• 最大功率2000w
• 等離子體產生陣列微波源(2.45 GHz)
• 終端檢測，光電發射，等離子體驗證
• 系統控制基於PC控制器，17寸彩色觸屏屏幕，圖形用戶界面
• 操作系統QNX實時平臺，程序功能手動或自動操作
• 用戶密碼，多種recipe設置
• 過程跟蹤實時監控，屏幕顯示圖表，數據記錄，工藝數據導出，接口以太網，USB, RS23接口
• 晶圓產量:35-80片/小時，視工藝而定。
• Etch刻蝕溫度範圍:100-280℃

80 Plus 在線式
對比與其他框架和基板片式處理等離子系統，該設備是世界上唯一一個單腔體支持片尺寸轉換，運輸和處理並提升了3倍UPH的設備。該系統針對大批量的芯片製造商在引線鍵合前塑封前、倒裝片底部填充前等應用中提升收率和可靠性。

產量方面的業界新標準:
• 高效率
• 支持 100x300mm 框架
• 最高UPH達到900 strips/Hr提高良率和可靠性:

概述：
• 服務於半導體器件、晶圓製造並可與工廠MES系統通訊；
• 系統裝備獨特的陣列微波等離子體高功率電源，均勻性；
• 模塊化平臺可供 200mm(8”)或300mm(12”)晶圓使用；
• 晶圓片存儲可採用cassette和foup且使用機械標準接口SMIF；
技術參數：
• 工藝腔體爲鋁
• 3軸機械手臂
• 最大晶圓尺寸300mm
• 最大功率2000w
• 等離子體產生陣列微波源(2.45 GHz)
• 終端檢測，光電發射，等離子體驗證
• 系統控制基於PC控制器，17寸彩色觸屏屏幕，圖形用戶界面
• 操作系統QNX實時平臺，程序功能手動或自動操作
• 用戶密碼，多種recipe設置
• 過程跟蹤實時監控，屏幕顯示圖表，數據記錄，工藝數據導出，接口以太網，USB, RS232接口
• 晶圓產量:35-80片/小時，視工藝而定。
• Etch刻蝕溫度範圍:100-280℃

GIGA 690微波等離子系統

Ø  Wire Bond / Die Bond 前的等離子體清潔

在芯片封裝中，等離子體清潔對於在Wire Bond / Die Bond 之前提高粘結墊的清潔度至關重要。表面等離子體清潔極大地增強了球剪切和拉針強度。理想情況下，在拉力測試期間，當中間跨度斷裂時，Wire Bond應保持焊接在粘結墊上。PVA TePla獨特的微波等離子體以無與倫比的吞吐量有效地去除粘結墊上的有機污染物和薄氧化物層。微波等離子處理通過應用我們經過驗證且具有成本效益的系統，可以進行量身定製的表面清潔和調理。

Ø  等離子體光刻膠灰化

蝕刻和離子注入後的等離子光刻電阻是半導體制造中最重要和最常執行的步驟之一。光刻週期的次數通常從10到25不等。每週期都需一個光刻膠剝離過程。等離子光刻膠片剝離面膜是一種乾燥、環保的工藝，稱爲等離子灰化，正在快速取代溼剝離/溼蝕刻技術。PVA TePla是使用微波或射頻激發的等離子灰化系統的市場領導者。我們提供單晶圓和批量灰。

微波等離子體是現代設備製造中大多數抗去除的理想選擇，因爲它產生非常高濃度的化學活性物質以及低離子轟擊能量，保證了快速的灰分率和無損傷的等離子體清潔。微波等離子體系統適用於各種基材技術，如Si、III/V化合物、石英、陶瓷、鎘酸鋰、銅互連器件等。固有的各向同性等離子體蝕刻特性是MEMS製造中犧牲層蝕刻和去除SU-8的優勢。

服務的典型設備市場是：

Ø  射频等离子在IC封装的应用

Ø  微波等离子在倒装芯片(Flip chip)的工艺应用

​​

RF 射頻等離子清洗/鍍膜系統

​

ION 40

​ION 100

ION 300