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晶圆制造

美国Kayaku Advanced Materials公司的SU-8 光刻胶是一种负性化学放大胶,适合i线,X-Ray,E-beam曝光。具有具有非常好的热稳定性、 抗刻蚀性、
高分辨率、高深宽等特点。对近紫外350~400nm波段曝光最为敏感。即使在非常厚的光刻胶曝光情况下,曝光均匀一致,可以获
得垂直边壁。

日本化药(Nippon Kayaku)拥有近百年历史,是环氧树脂行业的领导者。侧壁陡直,机械性,绝缘性及耐温性能等SU-8无可比拟的
优点,也正是得益于日本化药的支持。从2008年起,Kayaku Advanced Materials并入日本化药旗下,并与日本化药联合开发出KMPR以及SU-8 3000
系列等新产品。

 

Kayaku Advanced Materials的产品分类: Application Note (pdf)

 

 

 

 

SU-8 2000 系列
- 厚度范围,单层涂胶厚度为 0.5 to > 200 μm
- 高深宽比:>10:1
- 更多挥发性溶剂,与传统去边工艺兼容
- 降低了极性溶剂含量减小表面张力
- 表面活性成分,改善涂覆效果
- 多用于MEMS,钝化层应用LED 微流以及光电子器件制作

   
 

SU-8 3000 系列
SU-8 3000常用于永久性结构制作,较SU-8 2000具有更好的基底粘附力,更不易于在工艺过程中产生内应力积累。

高深宽比:>5:1。常用于光电器件,MEMS芯片制作,以及作为芯片绝缘、保护层使用。

相关溶液:
稀释剂:SU-8 Thiner,
显影液:SU-8 Developer 
去胶剂:Remover PG,
增附剂:OmniCoat

10µm features in 50µm SU-8 3000 (contact expose)
Source: MicroChem

 

 


內應力對比圖

熱穩定性和機械性能對比


KMPR系列

KMPR为负性光刻胶,具有与SU-8光刻胶相同的侧壁效果与深宽比( >5:1 ),易于去除。常用于MEMS,电铸,DRIE等。

相关溶液:
去胶:Remover PG
显影:碱性 TMAH 2.38%,或有机 SU-8 developer

Material uses:

  • MEMS
  • DRIE
  • Electroplating
  • Permanent Structures

Material attributes:

  • High aspect ratio with vertical sidewalls
  • High chemical and plasma resistance
  • Greater than 100 µm film thickness in a single coat
  • Excellent adhesion to metals
  • Wet strips in conventional strippers
  • Excellent dry etch resistance
Plating Permanent Deep Etch

Plating (100 µM tall Ni posts, KMPR removed)

Electroformed Ni gear after stripping KMPR
Source: Univ. of Birmingham

PMGI & LOR 底层去阻

PMGILOR去阻,可提高生產量金屬剝離處理中的各種數據存儲和無線芯片的應用,微機電系統使用下面雙層堆疊光致抗蝕劑PMGILOR延伸剝離處理的限制之外,其中單層抗蝕策略可以達到這包括非常高的分辨率金屬4µm微米的金屬化這些獨特的材料,可在各種處方,以滿足幾乎所有客戶的需求

PMGI与LOR抵抗使产量高,金属剥离处理中的各种从数据存储和无线芯片的应用,以微机电系统。使用下面的双层堆叠光致抗蚀剂,PMGI和LOR延伸剥离处理的限制之外,其中单层抗蚀策略可以达到。这包括非常高的分辨率金属(4µm微米)的金属化。这些独特的材料,可在各种处方,以满足几乎所有客户的需求。

Material uses:

  • Metal lift-off processing

  • Airbridge fabrication

  • Release layers

Material attributes:

  • 不会混用时,过涂有光刻胶成像
  •  双层堆叠的TMAH或KOH开发单步发展
  • 热稳定性高:TG〜190℃
  • 快速,干净地消除在常规Resist stripper
  •  启用子.250微米微米的双层光阻成像
  • 可实现高产量,很厚的(>3µm)的金属剥离处理