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賽默飛世爾科技賦能科技進步的全球領導者我們的使命是幫助客戶使世界更健康、更乾淨、更安全。我們幫助客戶加速生命科學領域的研究、解決在分析領域所遇到的複雜問題與挑戰、提高實驗室生產力、透過提供診斷以及研發製造各類突破性的治療方法，進而改善患者的健康。
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Helios 5雷射PFIB系統
將一流的單色Elstar掃描電子顯微鏡(SEM) 柱與等離子聚焦離子束 (PFIB)和飛秒雷射相結合，以產生具有原位 消融能力的高解析度成像和分析工具，提供前所未有的材料去除率，以奈米分辨率進行快速毫米尺度表徵。 統計相關的地下和三維表徵
飛秒雷射可以以比典型鎵FIB快幾個數量級的速度切割許多材料；可以在5分鐘內創建一個大(100微米)的橫 截面。由於雷射具有不同的去除機制(消融與FIB的離子濺射)，它可以輕鬆處理具有挑戰性的材料，如不 導電或離子束敏感樣品。 高品質的大批量分析
飛秒雷射脈衝的持續時間極短，幾乎沒有產生任何偽影，如熱衝擊、微裂紋、熔化或典型的傳統機械拋光。 在大多數情況下，雷射研磨的表面足夠乾淨，可以進行直接的SEM成像，甚至可以進行電子反向散射 （EBSD）映射等表面敏感技術。 該儀器建立在經過驗證的Helios 5 PFIB平台上，結合了一套最先進的技術，可提供高性能、高解析度透射電
子顯微鏡（TEM）和原子探針斷層掃描（APT）樣品製備以及具有精確材料對比度的極高解析度SEM成像。 主要特點
- 快速材料去除 : 毫米級截面，材料去除速度比典型的鎵聚焦離子束快15000倍。 - 統計相關的地下和三維資料分析 : 在更短的時間內取得更大數量的資料。 - 準確且可重複的切割放置 : 所有3根梁（SEM/PFIB/雷射）的相同重合點可以實現準確和可重複的切割放置和3D表徵。 - 深層地下特徵的快速表徵 : 提取地下TEM薄片或塊進行3D分析。 - 具有挑戰性的材料的高吞吐量處理 : 包括不導電或離子束敏感樣品。 - 快速簡單地表徵空氣敏感樣品 : 無需在不同的儀器之間傳輸樣品進行成像和橫截面。 - 共享Helios 5 PFIB平台的所有功能 : 高品質的無鎵TEM和APT樣品製備和高分辨率成像能力。 |
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半導體SEM 成像相關資源
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電氣故障分析
ELITE 系統
鎖相紅外線熱成像系統，其增強鎖相熱發射功能用於定位半導體元件中的缺陷。
先進的封裝應用、複雜的互連方案和更高效能的功率元件的快速成長給故障定位和分析帶來了前所未有的挑戰。 有缺陷或性能不佳的半導體裝置通常表現出局部功率損耗的異常分佈，導致局部溫度升高。 Thermo Scientific ELITE 系統利用鎖相紅外線熱成像 (LIT) 進行半導體裝置故障定位，可以準確有效地定位這些目標區域。 LIT 是一種動態紅外線熱成像形式，與穩態熱成像相比，其可提供更好的信噪比、更高的靈敏度和更高的特徵解析度。 LIT 可在 IC 半導體失效分析中用於定位線路短路、ESD 缺陷、氧化損壞、缺陷電晶體和二極體以及裝置閂鎖。 LIT 可在自然環境中進行，無需光屏蔽箱。 |
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ELITE的主要特点
堆叠裸片分析 堆疊裸片給分析員帶來了獨特的挑戰 。處理黏合或 TSV 晶片堆疊時，LIT 可用於定位完全封裝的裝置上晶片堆疊內 X、Y 和 Z 深度的缺陷。
采集时间越长，灵敏度越高 統的這一系統採集資料的時間越長，靈敏度越高。 當試圖以極低的功率級擷取資料或必須從弱故障模式中擷取資料時，鎖相紅外線熱成像ELITE 系特點尤其有價值。
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鎖相紅外線熱成像系統的功能：
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良率提升與計量我們為缺陷分析、計量學和製程控制提供先進的分析功能，旨在幫助提高生產率並改善一系列半導體應用和設備的產量。
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半導體故障分析越來越複雜的半導體裝置結構導致更多隱藏故障引起的缺陷的位置。 我們的新一代半導體分析工作流程可協助您定位和表徵影響量產、性能和可靠性的細微的電子問題
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物理和化學表徵持續的消費者需求推動了創造更小型、更快、更便宜的電子設備。 它們的生產依賴高效的儀器和工作流程，可對多種半導體和顯示設備進行電子顯微鏡成像、分析和表徵。
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ESD 半導體鑑定每個靜電放電 (ESD) 控制計劃都必須識別對 ESD 敏感的裝置。 我們提供一整套ESD測試系統，協助滿足您的裝置鑑定要求。
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電源半導體設備分析電源設備讓定位故障面臨獨特的挑戰，主要是因為電源設備結構和佈局。 我們的電源設備分析工具和工作流程可在工作條件下快速實現故障定位並提供精確、高通量的分析，以便表徵材料、介面和設備結構
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顯示設備故障分析不斷發展的顯示技術旨在提高顯示品質和光轉換效率，以支援不同產業領域的應用，同時繼續降低生產成本。 我們的流程計量、故障分析和研發解決方案可協助顯示公司解決這些挑戰。
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