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二十多年來,UltraT設備公司爲半導體及微電子行業提供了廣泛的設備。1991年5月成立於美國加州矽谷的核心地帶,提供了一系列用於製造半導體器件 (包括晶片,光阻,LED和MEMS)手動和自動化的清潔、塗布及顯影設備。UltraT設備配置可滿足各種基材並做有效率的清潔,在半導體制造過程中極其重要。針對不同的顆粒和污染物,UltraT可提供不同的去除方法和技術,並使用高壓去離子水、超聲波或霧噴咀、刷洗或分配稀釋化學品來做最有效率的清潔。 |
晶圓,基板,光罩清洗機 (Manual, Automated, Wet Bench/Batch)
UltraT設備為半導體和微電子產業生產手動單面/雙面清潔系統。 UTE專門從事晶圓,光罩和基板清洗,可提供單面或雙面高壓DI噴咀,霧化噴咀,刷子和
超音波清潔選項。
手動晶圓,基板,光罩清洗機
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光阻顯影機
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特徵:
• 可清潔 10 吋直徑基板。
• 主軸裝配有直流無刷馬達 (可升級更多控
![]() • 可調手臂速度和行程位置。
• 獨立聚丙烯腔體。
• 微處理器控制能保留 10 組清洗參數。
• 內建安全控鎖。
• 按鈕式上蓋 開啟/關閉。
• 觸控式圖形使用者介面 (GUI),易於程式設計和螢幕顯示錯誤報告。
• 最多可配置 2 隻清潔手臂。
另有:自動晶圓,基板,光罩清洗機可選。
濕式清潔台/批量晶圓,基板,光罩清洗機可選。
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特徵:
• 可相容到8吋晶圓
• 大容量顯影液填充可快速浸泡晶圓
![]() • 溫度範圍為50°F至100°F, 解析度為±0.3°F
• 可調整式機械攪拌做均勻顯影
• 在顯影流程結束,大型快速卸載閥可快速排放顯影液
• 六個去離子水噴咀可快速有效顯影
• 可快速填充及排放去離子水,有更快的循環時間
• 利用氮氣屏障做顯影液隔離
• 自動填充功能維持系統正常運作
• 0.45μm顯影劑過濾能力
• 微處理器控制可做顯影編程
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蝕刻和剝離系統 (Etch and Strip Systems) UltraT CESx124系列獨特的設計可滿足當今先進晶圓及基板的蝕刻及剝離。高效的CESx124,126,128或133是可蝕刻或剝離光阻從小直徑到非常大直徑的各種尺寸晶片。是光罩、晶圓和基板的蝕刻和清潔的理想選擇。 具有非常可靠和成本效益的系統是採用經過驗證的各種技術。 CESx可配置不同噴咀,如超音波噴咀、旋轉刷頭、高壓或低壓噴咀。並用DI-H2O或其它化學溶劑來做蝕刻或剝離。 可編程的拋物線臂運動有助於確保蝕刻的均勻。快速有效的乾燥技術結合可變旋轉速度; 另可選配加熱DI-H2O和氮氣輔助。 特徵:
• 系統被設計用於安全控制
• 可相容至(9x9)吋/ 300mm直徑基板。
![]() • 主軸組件配置直流無刷伺服馬達,可精確控制速度
• 可調式轉速鐵氟龍塗層不銹鋼臂桿及行程位置
• 用於清潔和乾燥輔助的去離子水加熱器
• 處立處理腔體可相容PVDF材料或選購PTFE
• 獨立聚丙烯櫃
• 微處理器控制,可儲存30個程式配方
• 內建安全控鎖和雙重安全殼
• 按鈕式上蓋 打開/關閉
• 觸控式圖形使用者介面(GUI)易於編程和螢幕顯示錯誤報告
•廢液分流排水閥
• 以SEMI S2 / S8設計
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在線式去離子化器 (In-Line Reionizer) ILR400 ILR400是解決使用DI H20引起的靜電放電問題的理想解決方案。ILR400在線DI H20去離子化器系統的設計基於該領域最新的技術。簡單直觀的控制,使純水工藝的應用更加靈活。
特徵: • DI H20去離子化率高達4.0加侖/分鐘 • 操作範圍從0.02到1.2兆歐 • 數字電阻率計,用於監測輸出DI H20的電阻率 • 閉環反饋系統,帶有比例閥和PID控制器,以確保爲可 變流量的DI H2O提供一致的去離子化 • DI H2O管路中沒有CO2氣泡 • DI H2O儲水槽中無細菌生長 • 止回閥將 C02 與 DI H20 源隔離 • N2 吹掃及 DI H2O 涓流在系統 關閉期間根除細菌生長 |