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美國 Veeco
全自動原子層沉積(ALD)系統
應用於TEM樣品製備
由於原子層沉積的保形性特性，可以在複雜圖形的表面完整且緻密的生長厚度僅僅十幾甚至幾個奈米的薄膜，非常適合用於TEM原子序數襯度薄膜。
由於原子層沉積的保形性特性，可以在複雜圖形的表面完整且緻密的生長厚度僅僅十幾甚至幾個奈米的薄膜，非常適合用於TEM原子序數襯度薄膜。
部分有機物基板，例如光阻，不能耐受高溫，需要在低溫下沉積薄膜。 Savannah和Fiji均具備在低溫下沉積薄膜並保證品質的優異特性
HfO2 Process Window – Hf(NMe2)4
使用Savannah 100 or S200 沉積HfO2 用於TEM，溫度範圍在60-150ºC
針對200mm基板，不均勻性<1.5%
針對200mm基板，不均勻性<1.5%
Test Case: TEMAH delivery at 28°C
200°C Process Recipe
H2O (0.015s pulse, 5s purge)
TEMAH (6s pulse, 5s purge, 28°C)
PTEMAH vapor = ~0.01Torr
Film Uniformity
200mm Std Dev(1-sigma) < 4%
如果使用LVPD附件，可以在室溫下沉積HfO2
