美國 Veeco - 全自動原子層沉積/刻蝕(ALD/ALE)系統
美國 Veeco - 全自動原子層沉積/刻蝕(ALD/ALE)系統

Veeco (Cambridge Nanotech)，2003年成立於哈佛大學，05年搬到Boston並生產推出Thermal ALD - Savannah機型，之後再生產推出Plasma ALD – Fiji機型、批量生產ALD-Phoenix機型。2017年被Veeco收購，隨後對旗下機型作出了升級迭代。至今爲止，Veeco在ALD設備已有十多年經驗，全球已安裝五百多臺ALD設備。

 

Veeco ALD 設備主要分爲以下五種型號：

 

應用於能源(1-3)，OLED和5G(4)，VR and AR領域(5)，先進半導體制造(6):

 

1.ALD製成的金屬氧化物(如SnO2)，可以在一定程度上阻止氧氣滲入吸收層，從而提高串聯器件的空氣穩定性

 

2.ALD 製成的Al2O3，消除了Si上懸空鍵的缺陷，有助於防止載流子表面複合

 
 
Sequence for Li7La3Zr2O12 with insitu QCM analysis

 

 

 

 

 

 

   3.

 
 
TEM cross-section on ZnO nanowire

 

 

经过ALD掺杂生长薄膜和退火后，形成了立方体LLZO

 

 

 

 

   5.應用於MOE/DOE的製備，得益於ALD的自限性，可以得到優秀的微透鏡結構
Aging at 38˚C / 85%RH of Al2O3 films (Ca px. after 1200h)

 

 

 
Change in optical transmission over 3 yrs for 25nm Al2O3 on PEN (WVTR ~1E-5)

 

 

 

4.應用於OLED器件的鈍化層。Savannah具備在較低溫度下沉積Al2O3的能力

 

 

 6.通過附件可實現ALE功能

 

 

 

Savannah G2和Fiji G2均具有在低溫下沉積薄膜的優異性能。
下圖為25˚C下使用PEALD沉積Al2O3

 

 

用於先進薄膜堆疊技術的多腔室機臺

                                                                                 

 

PEALD Al2O3 on 3D HgCdTe trench

 

Savannah G2和Fiji G2生長的薄膜具有優異的均勻性

 

可靈活實現多種配置 (ALD/IBD/IBE)

 

 

美國 Veeco - 全自動原子層沉積/刻蝕(ALD/ALE)系統

  • 品 牌 Veeco
  • 型 號 Veeco - Atomic Layer Deposition System
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