產品分類
影片


Teltec Pacific專為亞太地區的半導體業、電子製造、光電業及各大科研機構提供設備、材料以及技術支援、銷售與服務。

MicroChem / Nippon Kayaku - 光刻膠


美國Microchem公司的SU-8 光刻膠是一種負性化學放大膠,適合i線,X-Ray,E-beam曝光。具有具有非常好的熱穩定性、 抗刻蝕性、高分辨率、高深寬等特點。對近紫外350~400nm波段曝光最為敏感。即使在非常厚的光刻膠曝光情況下,曝光均勻一致,可以獲得垂直邊壁。

日本化藥(Nippon Kayaku)擁有近百年曆史,是環氧樹脂行業的領導者。側壁陡直,機械性,絕緣性及耐溫性能等SU-8無可比擬的優點,也正是得益於日本化藥的支持。從2008年起,Microchem併入日本化藥旗下,並與日本化藥聯合開發出KMPR以及SU-8 3000系列等新產品。

 

  

 

Microchem的產品分類: Application Note (pdf)

 

 

 

 

 

新! KMRD-015A

材料特性:

•水性顯影劑, 負型聚合物光阻

•低溫單階固化:1小時@ 185℃

•製程中的低收縮與低薄膜損失特性

•良好的化學與熱穩定性

•出色的可加工性與曝光寬容度

•優異的HAST和TCT表現

 

 黃光技術Ultratech AP-300 Stepper(全頻段)

〔7um厚度的薄膜於電鍍銅上〕


 可靠性測試電遷移測試(uHAST)

可通過2,000次以上-55℃至+125℃的循環

 

 

 

SU-8 2000 & 3000 系列光刻膠

 

SU-8 2000 系列
- 厚度範圍,單層塗膠厚度為0.5​​ to > 200 μm
- 高深寬比:>10:1
- 更多揮發性溶劑,與傳統去邊工藝兼容
- 降低了極性溶劑含量減小表面張力
- 表面活性成分,改善塗覆效果
- 多用於MEMS,鈍化層應用LED 微流以及光電子器件製作

   

 

 

Learn More

25 µm wide, 125 µm high
Source: MicroChem
10µm features, 50µm SU-8 2000 coating
Source: Micro Resist Technology

Cantilever

Genoletet, al., IBM-Zurich, Rev. Sci.
Instrum., 70, 2398 (1999)

Microfluidic Actuator

N Chronis, LP Lee, UC Berkeley, μTAS 2002, 754 (20

Passivation layer for diodes.

Encapsulation with imaged vias.

                  LED Passivation Application


SU-8 3000 系列

SU-8 3000常用於永久性結構製作SU-8 2000具有更好的基底粘附力更不易於在工藝過程中產生內應力積累

高深寬比:>5:1。常用於光電器件,MEMS芯片製作,以及作為芯片絕緣、保護層使用。

相關溶液
稀釋劑SU-8 Thiner
顯影液SU-8 Developer
去膠劑:Remover PG
增附劑OmniCoat

10µm features in 50µm SU-8 3000 (contact expose)
Source: MicroChem

 

 

 


内应力对比图

热稳定性和机械性能对比

Learn More



KMPR系列

KMPR為負性光刻膠具有與SU-8光刻膠相同的側壁效果與深寬比>5:1易於去除常用於微機電系統,電鑄DRIE

相關溶液
:Remover PG
顯影:碱性 TMAH 2.38%,或有機 SU-8 developer

Material uses:

  • MEMS
  • DRIE
  • Electroplating
  • Permanent Structures

Material attributes:

  • High aspect ratio with vertical sidewalls
  • High chemical and plasma resistance
  • Greater than 100 µm film thickness in a single coat
  • Excellent adhesion to metals
  • Wet strips in conventional strippers
  • Excellent dry etch resistance
Plating Permanent Deep Etch

Plating (100 µM tall Ni posts, KMPR removed)

Electroformed Ni gear after stripping KMPR
Source: Univ. of Birmingham

Learn More

PMGI & LOR Under Layer Resists

PMGILOR抵抗使產量高,金屬剝離處理中的各種數據存儲和無線芯片的應用,微機電系統使用下面雙層堆疊光致抗蝕劑PMGILOR延伸剝離處理的限制之外,其中單層抗蝕策略可以達到這包括非常高的分辨率金屬4µm微米的金屬化這些獨特的材料,可在各種處方,以滿足幾乎所有客戶的需求

Material uses:

  • Metal lift-off processing

  • Airbridge fabrication

  • Release layers

Material attributes:

  • 不會混用時,塗有光刻膠成像
  • 雙層堆疊TMAHKOH開發發展
  • 熱穩定性高TG190℃
  • 快速,乾淨地消除常Resist strippers
  • 啟用.250微米微米的雙層光阻成像
  • 可實現高產量很厚的>3µm的金屬剝離處理

 

LOR雙層Lift-off專用光刻膠

  • 高分辨,可用於 <0.25 μm Lift-off 工藝
  • undercut 結構可控,溶解速率易於調節
  • 在Si,NiFe,GaAs,nP和其它III-V材料上有良好的粘附力
  • 與g-, h-,i-line,DUV,193 nm 和E-beam 光刻膠等兼容
  • 良好的耐熱穩定性
  • 去膠容易,剝離乾淨

 

Bi-Layer Lift-Off Process                                             Lift-Off: An enabling, additive lithographic process

 

 

GaAs Modulator with Al airbridge
Source: Nortel

PMGI used as a sacrificial layer on which the airbridge was built. The PMGI layer was subsequently removed with conventional resist removal processing.

 

Learn More

 

 

 

 

 

 

PMMA Resist

 

PMMA正性抗蝕劑是基於特殊牌號聚甲基丙烯酸甲酯目的是提供高對比度高分辨率的電子束遠紫外線(220-250nm的X-射線光刻工藝此外,聚甲基丙烯酸甲酯通常被用作保護的III-V器件晶片減薄的應用程序。標準產品包括廣泛的氯苯配製的膜厚更安全的溶劑苯甲醚495000950000的分子量(MW)另外50,000100,000200,000和220萬兆瓦可根據要求提供

共聚物的抗蝕劑是基於PMMA的8.5%的甲基丙烯酸的混合物。共聚物甲基丙烯酸甲酯(8.5)MAA常用於聚甲基丙烯酸甲酯組合雙層剝離抗蝕劑工藝,其中的每一個光盤的大小和形狀的獨立控制抗蝕劑是必需的標準的共聚物的抗蝕劑被配製更安全的溶劑乳酸乙酯可在一個範圍的薄膜厚度此外甲基丙烯酸甲酯17.5MAA共聚物的抗蝕劑可根據要求提供

Applications for PMMA & copolymer resists (MMA (8.5)MAA)

T-gate resulting from PMMA/Copolymer bilayer resist stack.

 

相關溶液:
  • 電子束抗蝕劑:可用於電子束,X線,DUV曝光
  •  特征尺寸:<0.1μm,多種分子量和固含量可選
  • 與多數基底的粘附力非常好,亦適合多層涂覆工藝

顯影液 MIBK:IPA
  • 分子量大小:495K,950K,其它可選
  • 溶劑: 苯甲醚A或氯苯C
  • 固含量:2%~11%,或其它可選。

用途:
電子束光刻,晶圓減薄,T-Gate等。

PMMA & Copolymer Resists: PMMA Resist Data Sheet


 

應用

Top Layer Construction Combined Layer Construction

 

 

PriElex® Jettable Polymeric Materials

PriElex是一個新的具有功能性油墨的高分子材料,可用噴墨印刷的方式來製作電子元件。PriElex聚合油墨設計及噴墨特性的優化,可適用於無光罩式微影、快速成型、和乾淨非接觸式印刷。比起其它一般光阻材料PriElex更為了噴墨性能,例如粘度、蒸發速率、表面張力、等待時間,耐熱穩定性等來做特別開發。

MicroChem目前可提供XPPriElex SU-8 1.0,是一種可噴墨式的SU-8光阻材料,可用噴墨方式來製作單層或多層的結構。配合FUJIFILM Dimatix 材料噴墨機使用,可應用在微結構製造上。

目前還有其它功能性噴墨材料在研發中。

 


PriElex® SU-8 材料用途:
  • 不需要光罩微影可製作永久的三維結構
  • 可塗佈在不規則面的底材上
  • 可圖案化做絕緣和隔離層使用
  • 蝕刻遮罩和其它應用
  PriElex® SU-8 材料屬性:
  • 低溫固化 (<150° C)
  • 光學透明性佳
  • 優異熱穩定性
  • 高耐化性
  • 低楊氏係數
  • 減少材料浪費 


Continuous Printed Patterns

PriElex® SU-8 Direct Write: 5 passes, linear scan
Source: MicroChem Corp

 

 
Additive Via Fabrication

Via pattern created with additive inkjet process
Source: MicroChem Corp